台积电全球技术经理为我院《集成电路设计》课程同学授课

  • 发布时间:[2017-04-18] 来源:[学院] 点击量:[3954]

       2017年4月第一周,武汉大学客座教授、台湾集成电路公司(TSMC)技术经理廖文翔博士为我院《集成电路设计》课程同学讲授了“集成电路制造工艺及其最新进展”。
       根据课程教学计划,廖博士主要讲授集成电路工艺部分内容。整个授课过程循序渐进,深入浅出,从基础之半导体材料、MOS场效应晶体管原理及其制造技术开始,具体分析了半导体工艺发展历程、主要工艺技术和物理设计,以及当前最新的FinFET晶体管组件原理和设计技术,并介绍了FinFET再搭配Hi-K/Metal Gate,Strained-Si以及SiGe-channel等前瞻性组件及其制造技术。
       授课过程中同学们积极踊跃、互动良好,表示不仅学到了基础知识,而且通过全球最大半导体公司的业界专家讲课,也对该方向研究前沿有了很好的了解。
       此次授课专家由《集成电路设计》课程责任教师饶云华副教授和李德识教授邀请,该课程自2005年以来一直在教学方法和教学内容等方面不断研究创新,并积极进行国际化探索,采用了国际上著名大学的原版教材,这次授课也是该课程自双语课程教学改革以来向国际化迈进的有一次有益尝试。
       廖文翔博士获得了台湾成功大学化工系学士,美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)电子学硕士,台湾大学固态电子学博士。现为武汉大学客座教授,楚天学者,台湾交通大学、清华大学兼职教授,台积电全球技术经理。廖博士具有丰富的集成电路制造从业经历,长期工作于世界领先的IC制造业巨头,成功领导研发了32nm以下世代Vertical Double Gate MOSFET (FinFET),45nm世代SiGe组件,Package Strained MOSFET等先进集成电路工艺,在本领域国际顶级期刊IEEE-EDL,IEEE-VLSI等发表论文近30篇,获授权美国专利17项,德国专利4项,以及多项中国发明专利。(通讯员:饶云华)






 


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