学术讲座公告---面向未来芯片的压电氮化铝(AlN)薄膜材料与器件

  • 发布时间:[2018-01-04] 来源:[学院] 点击量:[1414]

报告题目:面向未来芯片的压电氮化铝(AlN)薄膜材料与器件
报告人:孙成亮,教授
报告时间:1月8日(星期一)下午14:30-15:30
报告地点:学院303会议室
报告摘要:
       随着人类居住城市的智慧化,物联网技术的迅猛发展,作为未来物联网重要基石的微型MEMS传感器及其芯片系统已经广泛应用于工业和人们的生活当中。压电氮化铝(AlN)薄膜,作为一种新型MEMS材料,具有优良的压电性能以及完美的半导体工艺兼容特性,是目前制备各种传感器、驱动器、谐振器以及滤波器等的最佳原材料。AlN材料的介电常数比传统的压电材料PZT小两个数量级,且机械品质因数显著高于PZT,这意味它在某些应用中能发挥更加优越的性能,如射频谐振器以及能量采集器等。同时,Sc掺杂AlN材料(ScAlN),可以改善机械性能或增加压电系数,但却不会显著改变其它属性,这无疑将进一步提升MEMS器件的性能。报告将围绕氮化铝薄膜的制备为基础,重点讨论氮化铝薄膜材料在射频谐振器(Lamb波谐振器、FBAR)、滤波器以及能量采集器(流体驱动式、真空封装的MEMS振动式能量采集器)等方面的研究,包括MEMS器件的设计、制程以及性能表征等。
报告人简介:
       孙成亮,男,武汉大学工业科学研究院教授,湖北省百人计划特聘专家。1999年获武汉大学理学学士,后留校工作两年。2001年至2006年在武汉大学攻读博士学位,师从赵兴中教授。2004年至2007年在香港理工大学从事博士、博士后研究工作。2007年至2011年分别在美国匹兹堡大学、威斯康辛大学麦迪逊分校从事博士后研究工作。2011年至2017年在新加坡微电子研究院专门从事压电氮化铝MEMS工作,于2014年获新加坡工程院 “新加坡工程院杰出工程成就奖”,2016年新加坡科技研究局“领导、教育和培养人才天赋奖”。2017年8月加盟武汉大学工业科学研究院工作至今。
       主要从事压电材料器件和MEMS器件的研究,并在射频谐振器、滤波器,能量采集器,智能传感器等领域做出了许多创新性和开拓性的工作。近五年来,先后主持项目8项,共计项目资金1000多万新币(约5000万人民币),主要集中在基于氮化铝薄膜材料的一维、二维Lamb波、FBAR射频谐振器、滤波器,MEMS能量采集器及压力、粘度传感器等方面。在Energy & Environmental Science,Nano letters, IEEE Electron Device Letters (EDL), Applied physics letters (APL), Journal of applied physics(JAP)等国际权威期刊发表SCI论文近40篇(累计影响因子>150),迄今论文已被引用超过1000次,H因子为13;参加国际会议或邀请报告10余次;申请国际专利8项,其中一项已经成功技术转让,另有7项技术know-how。

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