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学术讲座公告---高纯度线偏微型准BIC激光器

2026-03-27
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报告时间:2026年3月31日(周二)晚上7:40

报告地点:武汉大学电子信息学院于刚·宋晓楼B603会议室

报告题目:高纯度线偏微型准BIC激光器

报告人:曾永全 


报告主题简介:

连续域束缚态(BIC)凭借超高品质因子与拓扑偏振分布的特性,为实现微纳尺度高性能激光提供了优异的设计思路。然而,理想 BIC 所伴随的拓扑偏振奇点有利于矢量光束发射,却难以产生高纯度的偏振光。利用外置偏振器将不可避免地造成 50% 的效率损耗,因此通过激光工作模式的直接偏振调控产生偏振光是非常重要的。通过反演对称性破缺实现的各向同性准 BIC 虽能在单一波矢(k)空间点产生偏振激光,但该方案需较大器件尺寸才能逼近无限周期阵列的效果。本文提出一种基于复合偏振色散工程策略的线偏振微型 准BIC 激光器,可实现均匀线偏振激光发射。通过结合反演对称性破缺与各向异性色散调控,成功获得偏振消光比(PER)高达 298:1、器件尺寸超紧凑(约 16.4 μm×13.4 μm,含 20×20 个单元)的线偏振激光输出。本研究成果为微型化偏振光源提供了有效实现方案,可推动其在精密计量、成像及显示等领域的应用。

 

报告人简介:

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曾永全,武汉大学电子信息学院,教授/博士生导师,国家高层次青年人才。主要从事新型半导体激光器和片上光器件研究,在Nature、Science、Science Advances、Nature Communications、ACS Photonics、Advanced Optical Materials、Photonic Research等光学领域顶级期刊发表SCI论文40余篇,申请国际国内专利15项。主持国家省部级科研项目多项,曾获海外自费留学生奖学金、PIERS青年科学家等荣誉。


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